199,70 € IVA inclusa
100 disponibili
| Peso | 0,029999999329448 kg |
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| Spedito In |
Scoprite il futuro dello storage con l’unità Samsung 9100 Pro da 1 TB PCIe 5.0. Progettata per offrire velocità e affidabilità senza pari, questa unità SSD è ideale per giocatori, creatori di contenuti e professionisti che esigono il meglio. Grazie alla tecnologia PCIe 5.0 x4 e NVMe 2.0, questa unità offre velocità di lettura e scrittura impressionanti, garantendo prestazioni ottimali e tempi di caricamento più rapidi per le applicazioni e i sistemi operativi.
Prestazioni eccezionali
L’unità Samsung 9100 Pro ridefinisce la velocità. Con una capacità di 1 TB e la tecnologia V-NAND TLC di Samsung, raggiunge fino a 14.700 MB/s in lettura sequenziale e 13.300 MB/s in scrittura sequenziale. Inoltre, gli elevati tassi di IOPS, pari a 1.850.000 in lettura e 2.600.000 in scrittura da 4 KB, gli permettono di gestire più attività senza sforzo, rendendo questa unità SSD uno strumento insostituibile Per qualsiasi workstation ad alte prestazioni.
Sicurezza avanzata
In un mondo in cui la sicurezza dei dati è fondamentale, Samsung 9100 Pro non delude. Equipaggiata con crittografia AES di 256 bit, offre una protezione di Classe 0 e le specifiche TCGOpal e IEEE1667 per le unità crittografate. Ciò significa che i vostri dati sono al sicuro sia a riposo che in transito, garantendovi la tranquillità di sapere che le vostre informazioni sensibili sono sempre protette.
Design compatto e robusto
Oltre a essere potente e sicuro, il Samsung 9100 Pro è anche straordinariamente compatto. Con un fattore di forma M.2 2280 e dimensioni di 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, è ideale per qualsiasi configurazione hardware moderna. Nonostante la sua sottigliezza, la sua struttura robusta le consente di resistere a urti fino a 1500G, dimostrando che durata e portabilità possono andare di pari passo. Il tutto con un peso di soli 9 grammi.
Caratteristiche:
-Di forma: M.2 2280
-Capacità: 1 TB
-Interfaccia: PCIe® 5.0 x4 / NVMe™ 2.0
-Memoria di tipo: Samsung V-NAND TLC
-Memoria cache: Samsung 1GB DDR4X SDRAM
-Crittografia: Crittografia AES a 256 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (Unità crittografata)
-Lettura sequenziale: fino a 14700 MB/s
-Scrittura sequenziale: fino a 13300 MB/sec.
-4KB in lettura: 1.850.000 IOPS
-Scrittura 4KB: 2.600.000 IOPS
-Resistenza agli urti: 1500G
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