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Samsung 9100 PRO Disco rigido SSD 1 TB M.2 – PCIe 5.0 x4 – NVMe 2.0

Produttore:

SAMSUNG

SKU:

MZ-VAP1T0BW

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Scopri il futuro dello storage con il Samsung 9100 Pro 1TB PCIe 5.0. Progettato per offrire velocità e affidabilità senza pari, questo SSD è ideale per giocatori, creatori di contenuti e professionisti che esigono il meglio. Grazie alla tecnologia PCIe 5.0 x4 e NVMe 2.0, questo disco offre velocità di lettura e scrittura impressionanti, garantendo prestazioni ottimali e tempi di caricamento ridotti per le tue applicazioni e i tuoi sistemi operativi.
Prestazioni eccezionali
Il Samsung 9100 Pro ridefinisce la velocità. Con una capacità di 1 TB e la tecnologia Samsung V-NAND TLC, raggiunge fino a 14.700 MB/s in lettura sequenziale e 13.300 MB/s in scrittura sequenziale. Inoltre, i suoi elevati tassi di IOPS — 1.850.000 in lettura e 2.600.000 in scrittura a 4 KB — consentono di gestire più attività senza sforzo, rendendo questo SSD uno strumento insostituibile per qualsiasi workstation ad alte prestazioni.
Sicurezza avanzata
In un mondo in cui la sicurezza dei dati è fondamentale, il Samsung 9100 Pro non delude. Equipato di crittografia AES a 256 bit, offre protezione di classe 0 insieme alle specifiche TCGOpal e IEEE1667 per le unità crittografate. Ciò significa che i tuoi dati sono al sicuro sia a riposo che in transito, garantendoti la tranquillità che le tue informazioni sensibili saranno sempre protette.
Design compatto e resistente
Oltre ad essere potente e sicuro, il Samsung 9100 Pro è anche notevolmente compatto. Con un fattore di forma M.2 2280 e dimensioni di 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, è ideale per qualsiasi configurazione hardware moderna. Nonostante la sua sottigliezza, la sua struttura robusta gli permette di resistere a urti fino a 1500G, dimostrando che durata e portabilità possono andare di pari passo. E tutto questo con un peso di soli 9 grammi.
Caratteristiche:
-Fattore di forma: M.2 2280
-Capacità: 1TB
-Interfaccia: PCIe® 5.0 x4 / NVMe™ 2.0
-Tipo di memoria: Samsung V-NAND TLC
-Cache: Samsung 1 GB DDR4X SDRAM
-Crittografia: Crittografia AES a 256 bit (Classe 0) TCG/Opal IEEE1667 (Unità crittografata)
-Lettura sequenziale: fino a 14.700 MB/s
-Scrittura sequenziale: fino a 13.300 MB/s
-Lettura 4 KB: 1.850.000 IOPS
-Scrittura 4 KB: 2.600.000 IOPS
-Resistenza agli urti: 1.500 G

Peso 0,03 kg
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EAN 8806095811628

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